首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2022年12月1日 碳化硅作为第三代半导体材料，在电力电子系统中具有重要的地位。碳化硅功率器件以其卓越的特性，如耐高压、耐高温和低损耗等，能够满足电力电子系统对高效 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...2022年12月1日 碳化硅作为第三代半导体材料，在电力电子系统中具有重要的地位。碳化硅功率器件以其卓越的特性，如耐高压、耐高温和低损耗等，能够满足电力电子系统对高效
了解更多
2022年4月11日 SiC外延工艺基本介绍. 外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。 其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外 SiC外延工艺介绍及掺杂环节与监测重点_安徽长飞先进 ...2022年4月11日 SiC外延工艺基本介绍. 外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。 其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外
了解更多
6 天之前 1、化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展. 2、基于国产单晶衬底的150mm4H-SiC同质外延技术进展. 3、第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势. -end- 想要及 碳化硅外延生长炉的不同技术路线 - 艾邦半导体网6 天之前 1、化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展. 2、基于国产单晶衬底的150mm4H-SiC同质外延技术进展. 3、第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势. -end- 想要及
了解更多
2020年3月16日 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一 碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE2020年3月16日 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一
了解更多
2021年1月7日 碳化硅模块本体设计难点在于电磁部分，需要开发出精确的建模和设计辅助工具； 碳化硅技术用于小风阻车型时续航里程可增加4%以上。 总体而言，碳化硅电控适用于续航里程长、风阻小的高端车型，并对 碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估2021年1月7日 碳化硅模块本体设计难点在于电磁部分，需要开发出精确的建模和设计辅助工具； 碳化硅技术用于小风阻车型时续航里程可增加4%以上。 总体而言，碳化硅电控适用于续航里程长、风阻小的高端车型，并对
了解更多
碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆，也广泛运用于高温时使用的 Ferrotec全球 - 气相沉积碳化硅产品（CVD-SiC)碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆，也广泛运用于高温时使用的
了解更多
碳化硅外延设备技术研究. 碳化硅外延技术是采用化学气相沉积设备在N型4H-SiC衬底上进行同质外延生长,而外延生长设备所具有的温度场和气流场的状态决定了外延生长的成膜质 碳化硅外延设备技术研究 - 百度学术碳化硅外延设备技术研究. 碳化硅外延技术是采用化学气相沉积设备在N型4H-SiC衬底上进行同质外延生长,而外延生长设备所具有的温度场和气流场的状态决定了外延生长的成膜质
了解更多
2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石 碳化硅_百度百科2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石
了解更多
碳化硅机械密封设备工艺原理-碳化硅机械密封设备工艺原理ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ前言机械密封是一种防止介质泄漏的装置，广泛应用于各种工业设备中。机械密封由两部分组成：静态密封和动态密封。其中，动态密封通常由机械密封和密封圈组成 ... 碳化硅机械密封设备工艺原理_百度文库碳化硅机械密封设备工艺原理-碳化硅机械密封设备工艺原理ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ前言机械密封是一种防止介质泄漏的装置，广泛应用于各种工业设备中。机械密封由两部分组成：静态密封和动态密封。其中，动态密封通常由机械密封和密封圈组成 ...
了解更多
2021年1月19日 成果介绍. 依据团队具备的经验和技术，团队的碳化硅外延炉主要采取主流的横向热壁技术方案，重要的技术指标将对标被国内广泛认可的意大利 LPE 碳化硅外延设备。. 其指标包括将外延材料的厚度不均匀性降至 1% ；缺陷密度降至 0.5/cm -2 ；原料利用率上提升 30% ... 第三代半导体碳化硅高温化学气相沉积外延设备 _科创中国2021年1月19日 成果介绍. 依据团队具备的经验和技术，团队的碳化硅外延炉主要采取主流的横向热壁技术方案，重要的技术指标将对标被国内广泛认可的意大利 LPE 碳化硅外延设备。. 其指标包括将外延材料的厚度不均匀性降至 1% ；缺陷密度降至 0.5/cm -2 ；原料利用率上提升 30% ...
了解更多
2023年5月17日 国内碳化硅激光切割方案 大族激光：碳化硅改质切割原理 目前，国内大族激光的碳化硅晶锭激光切片机正在客户处验证。近期，大族激光也在官微分享了其 改质切割技术的流程及成果。 改制切割是一种将半导体晶圆分离成单个芯片或晶粒的激光技术。 碳化硅材料切割的下一局：激光切割-suset-piezo2023年5月17日 国内碳化硅激光切割方案 大族激光：碳化硅改质切割原理 目前，国内大族激光的碳化硅晶锭激光切片机正在客户处验证。近期，大族激光也在官微分享了其 改质切割技术的流程及成果。 改制切割是一种将半导体晶圆分离成单个芯片或晶粒的激光技术。
了解更多
1 天前 碳化硅晶圆应力检测设备介绍. SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。. 相比传统的硅材 料 (Si)，碳化硅 (SiC)的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子 ... 碳化硅晶圆应力检测设备介绍 - 艾邦半导体网1 天前 碳化硅晶圆应力检测设备介绍. SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。. 相比传统的硅材 料 (Si)，碳化硅 (SiC)的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子 ...
了解更多
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。. 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。. 离子注入是一种向半导体材料内部加入特 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。. 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。. 离子注入是一种向半导体材料内部加入特
了解更多
1 天前 原理是将激光束透过碳化硅的表面聚焦晶片内部，在所需深度形成改性层，从而实现剥离晶圆。 优点是晶圆表面没有切口，避免了刀具磨损和机械应力的影响，因此可以实现晶圆表面较高的加工精度（一般为±1μm），同时减少了后续的研磨抛光工艺过程，节省时间和 顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术 ...1 天前 原理是将激光束透过碳化硅的表面聚焦晶片内部，在所需深度形成改性层，从而实现剥离晶圆。 优点是晶圆表面没有切口，避免了刀具磨损和机械应力的影响，因此可以实现晶圆表面较高的加工精度（一般为±1μm），同时减少了后续的研磨抛光工艺过程，节省时间和
了解更多
碳化硅冷凝器设备工艺原理-8.附着性强：碳化硅陶瓷管表面具有多孔性，表面积较大，附着性强，能够有效地捕集和附着烟气中的有害气体。9. 清洗方便：碳化硅陶瓷管表面附着物可通过自动控制系统进行清洗，提高设备稳定性和使用寿命。应用领域 ... 碳化硅冷凝器设备工艺原理_百度文库碳化硅冷凝器设备工艺原理-8.附着性强：碳化硅陶瓷管表面具有多孔性，表面积较大，附着性强，能够有效地捕集和附着烟气中的有害气体。9. 清洗方便：碳化硅陶瓷管表面附着物可通过自动控制系统进行清洗，提高设备稳定性和使用寿命。应用领域 ...
了解更多
换热设备碳化硅换热器设备工艺原理- 在设备运行过程中，一些问题可能会导致设备闲置或热传导效率下降。必须定期对设备进行检测，以确保其正常运行和高效换热。可以通过检测管壁温度、内外流体的流量和温度等参数来判断设备的状态。结论碳化硅 ... 换热设备碳化硅换热器设备工艺原理_百度文库换热设备碳化硅换热器设备工艺原理- 在设备运行过程中，一些问题可能会导致设备闲置或热传导效率下降。必须定期对设备进行检测，以确保其正常运行和高效换热。可以通过检测管壁温度、内外流体的流量和温度等参数来判断设备的状态。结论碳化硅 ...
了解更多
碳化硅换热器作为一种高效的换热设备，其具有以下几个特点：. 1. 碳化硅本身就是一种具有良好耐高温特性的材料，其最高使用温度可达1600℃左右。. 而采用碳化硅换热器作为换热设备，不仅能够在高温环境下运行，而且还能够稳定工作，不会发生断裂或变形 ... 碳化硅换热器原理特点 - 百度文库碳化硅换热器作为一种高效的换热设备，其具有以下几个特点：. 1. 碳化硅本身就是一种具有良好耐高温特性的材料，其最高使用温度可达1600℃左右。. 而采用碳化硅换热器作为换热设备，不仅能够在高温环境下运行，而且还能够稳定工作，不会发生断裂或变形 ...
了解更多
北京 : 机械工业出版社 , 2018. 内容提要: 本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型 ... 碳化硅技术基本原理：生长、表征、器件和应用：growth ...北京 : 机械工业出版社 , 2018. 内容提要: 本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型 ...
了解更多
2023年8月29日 近日，纳设智能成功研制出更大尺寸具有更多创新技术的8英寸碳化硅外延设备，此设备具备 独特反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式、以及智能的控制系统 ，将更好的提高外延片的均匀性，降低外延缺陷及生产中的耗材成本。. 目前，6英寸碳化硅 最新突破 纳设智能成功研发8英寸碳化硅外延设备_纳设 ...2023年8月29日 近日，纳设智能成功研制出更大尺寸具有更多创新技术的8英寸碳化硅外延设备，此设备具备 独特反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式、以及智能的控制系统 ，将更好的提高外延片的均匀性，降低外延缺陷及生产中的耗材成本。. 目前，6英寸碳化硅
了解更多
2021年1月7日 另一方面，碳化硅属于单极性器件，因此碳化硅芯片的并联数量越多，其总导通损耗越低，并可因此提高电控的效率。. 所以，选择芯片并联数量时，除了最高结温限制了最大输出功率，还必须考虑它对于系统层面的优势——如之前所提到过的，即必须考虑综合 ... 碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 - ROHM2021年1月7日 另一方面，碳化硅属于单极性器件，因此碳化硅芯片的并联数量越多，其总导通损耗越低，并可因此提高电控的效率。. 所以，选择芯片并联数量时，除了最高结温限制了最大输出功率，还必须考虑它对于系统层面的优势——如之前所提到过的，即必须考虑综合 ...
了解更多
2024年5月29日 一、引言 碳化硅膜工程设备，作为现代工业中的一项重要技术，以其独特的性能和广泛的应用领域，受到了广泛关注。碳化硅膜以其优异的耐酸碱、耐化学试剂腐蚀、耐高温以及亲水疏油性，被誉为21世纪科学的陶瓷膜产品。本文健安环保将详细介绍碳化硅膜工程设备的特性、应用领域、工作原理 ... 碳化硅膜工程设备的工作原理 - 2024年5月29日 一、引言 碳化硅膜工程设备，作为现代工业中的一项重要技术，以其独特的性能和广泛的应用领域，受到了广泛关注。碳化硅膜以其优异的耐酸碱、耐化学试剂腐蚀、耐高温以及亲水疏油性，被誉为21世纪科学的陶瓷膜产品。本文健安环保将详细介绍碳化硅膜工程设备的特性、应用领域、工作原理 ...
了解更多
碳化硅烧结炉是一种利用碳化硅原材料在高温下进行自我烧结而形成陶瓷材料 的设备。其原理是在高温下使碳化硅粉末发生烧结反应，经过化学变化、物理变化、 晶体生长等过程，最终形成具有特殊性能的陶瓷材料。 具体来说，碳化硅烧结炉采 用高温 ... 碳化硅真空烧结炉的工艺流程合集 - 百度文库碳化硅烧结炉是一种利用碳化硅原材料在高温下进行自我烧结而形成陶瓷材料 的设备。其原理是在高温下使碳化硅粉末发生烧结反应，经过化学变化、物理变化、 晶体生长等过程，最终形成具有特殊性能的陶瓷材料。 具体来说，碳化硅烧结炉采 用高温 ...
了解更多
2023年8月23日 碳化硅亦被广泛运用在其他电力设备中. 中国碳化硅功率器件应用市场规模飞速增长，从2017年的18.5亿元增长至2021年的71.1亿元，CARG达 40.01%。. 鉴于碳化硅材料在高电压下的优良性能，碳化硅材料在新能源汽车、光伏逆变器等产业都有极为理想 的应用前景。. 截至 ... 充电桩行业专题报告：从高压快充看碳化硅在电力设备中的运用2023年8月23日 碳化硅亦被广泛运用在其他电力设备中. 中国碳化硅功率器件应用市场规模飞速增长，从2017年的18.5亿元增长至2021年的71.1亿元，CARG达 40.01%。. 鉴于碳化硅材料在高电压下的优良性能，碳化硅材料在新能源汽车、光伏逆变器等产业都有极为理想 的应用前景。. 截至 ...
了解更多
2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代，同时公 司已推出适用于 8 寸碳化硅衬底切割的碳化硅金刚线 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 ...2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代，同时公 司已推出适用于 8 寸碳化硅衬底切割的碳化硅金刚线
了解更多
2023年7月7日 PVT法碳化硅长晶设备有两种加热方式，即感应加热法和电阻加热法。感应加热法是目前国内外生长SiC晶体的主流工艺，其原理 是使石墨坩埚产生涡流发热，给包括坩埚在内的整个热场加热，坩埚是温度最高的部件。电阻加热法是未来生长大尺寸SiC ... 中科院博士分享：电阻法制备8英寸SiC晶体的关键技术丨小 ...2023年7月7日 PVT法碳化硅长晶设备有两种加热方式，即感应加热法和电阻加热法。感应加热法是目前国内外生长SiC晶体的主流工艺，其原理 是使石墨坩埚产生涡流发热，给包括坩埚在内的整个热场加热，坩埚是温度最高的部件。电阻加热法是未来生长大尺寸SiC ...
了解更多